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PHOTOVOLTAIC ENERGY
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Silicon carbide
第一代半導(dǎo)體就是以硅、鍺單元素材料為代表,主要就是硅;第二代半導(dǎo)體是以砷化鎵、磷化銦等化合物材料為代表;第三代半導(dǎo)體是以碳化硅和氮化鎵等寬禁帶化合物材料為代表。其中碳化硅具有:耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射的優(yōu)勢(shì),所以近年來(lái)成了新能源車、光伏、5G基站等多個(gè)領(lǐng)域的新寵,可以大幅度減積減重、提高效率、降低損耗。 相關(guān)產(chǎn)品:
BP系列雙極濺射電源
PGD系列感應(yīng)法單晶生長(zhǎng)爐電源
GTS系列全數(shù)字三相IGBT逆變模塊
KT系列交流調(diào)壓電源
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